TY - JOUR T1 - Influence of GaN barrier growth temperature on the photoluminescence of InGaN/GaN heterostructures JO - J PHYS D APPL PHYS PY - 2002/04/07 AU - Olaizola SM AU - Pendlebury ST AU - O'Neill JP AU - Mowbray DJ AU - Cullis AG AU - Skolnick MS AU - Parbrook PJ AU - Fox AM ED - VL - 35 IS - 7 SP - 599 EP - 603 Y2 - 2025/07/21 ER -