TY - CONF T1 - Avalanche multiplication and breakdown in 4H-SiC diodes JO - SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2 PY - 2004/01/01 AU - Ng BK AU - David JPR AU - Massey DJ AU - Tozer RC AU - Rees GJ AU - Yan F AU - Zhao JH AU - Weiner M ED - Madar R ED - Camassel J VL - 457-460 SP - 1069 EP - 1072 Y2 - 2025/05/16 ER -