TY - JOUR T1 - Carrier lifetime and exciton saturation in a strain-balanced InGaAs/InAsP multiple quantum well JO - J APPL PHYS PY - 1998/01/01 AU - Mottahedeh R AU - Prescott D AU - Haywood SK AU - Pattison DA AU - Kean PN AU - Bennion I AU - Hopkinson M AU - Pate M AU - Hart L ED - VL - 83 IS - 1 SP - 306 EP - 309 Y2 - 2025/05/22 ER -