TY - CONF
T1 - XtreMOS鈩�: The first integrated power transistor breaking the silicon limit
JO - Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
PY - 2006/01/01
AU - Moens P
AU - Bauwens F
AU - Baele J
AU - Vershinin K
AU - De Backer E
AU - Narayanan EMS
AU - Tack M
ED -
DO - DOI: 10.1109/IEDM.2006.346933
SN - 9781424404391
Y2 - 2025/05/20
ER -