TY - JOUR T1 - Growth and characterization of (111)B InGaAs/GaAs multi-quantum well PIN diode structures JO - Journal of Electronic Materials PY - 1994/09/01 AU - David JPR AU - Grey R AU - Rees GJ AU - Pabla AS AU - Sale TE AU - Woodhead J AU - Sanchez-Rojas JL AU - Pate MA AU - Hill G AU - Robson PN AU - Hogg RA et al ED - DO - DOI: 10.1007/bf02655373 PB - Springer Science and Business Media LLC VL - 23 IS - 9 SP - 975 EP - 982 Y2 - 2025/05/19 ER -